rohm

◼ Eingangs-Offsetspannung: 2 mV (max.) ◼ Anstiegsgeschwindigkeit: 10 V/μs (typisch) ◼ Eingangsbezogene Rauschspannungsdichte f = 1 kHz: 12 nV/√Hz (typisch) ◼ Gleichtakt-Eingangsspannungsbereich: VSS zu VDD ◼ Eingangsruhestrom: 0,5 pA (typisch) ◼ Betriebsspannungsbereich Einzelversorgung: 2,5 V bis 5,5 V Duale Versorgung: ±1,25 V bis ±2,75 V ◼ Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis +125 °C

◼ Betriebsspannungsbereich Einzelversorgung: 3,0 V bis 36,0 V Duale Versorgung: ±1,5 V bis ±18,0 V ◼ Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis +150 °C ◼ Niedriger Versorgungsstrom: 1 mA (typisch) ◼ Eingangs-Offsetstrom: 2 nA (typisch) ◼ Eingangsruhestrom: 20 nA (Typ)

 Breite Betriebsversorgungsspannung (Einzelversorgung): +4,0 V bis +36,0 V (Split-Versorgung): ±2,0 V bis ±18,0 V  Anstiegsgeschwindigkeit: 1,2 V/µs (typ.)  Großer Temperaturbereich: -40 °C bis +85 °C  Eingangs-Offsetstrom: 5 nA (typ.)  Eingangs-Offsetspannung: 5 mV (max.)

 Betriebsversorgungsspannungsbereich: +1,8V bis +5,5V  Betriebstemperaturbereich: BU7241G, BU7242xxx, BU7244xx -40°C bis +85°C BU7241SG, BU7242Sxxx, BU7244Sxx -40°C bis +105°C  Versorgungsstrom: BU7241, BU7241S 70µA (Typ) BU7242, BU7242S 180µA (Typ) BU7244, BU7244S 360µA (Typ)  Eingangs-Offsetstrom: 1 pA (typisch)  Eingangsruhestrom: 1 pA (typisch)

1. Betriebsspannungsbereich: 2,5 V bis 5,5 V 2. Seitenschreibfunktion: 8 Bytes

1. Hochgeschwindigkeitstaktung bis zu 10 MHz (max.) 2. AEC-Q100-qualifiziert.

Dual Pch+Pch, HSOP8, Leistungs-MOSFET 1) Niedriger Einschaltwiderstand 2) Hochleistungspaket (HSOP8) 3) Pb-freie Beschichtung; RoHS-konform 4) Halogenfrei 5) 100 % Rg- und UIS-getestet